光刻技术的原理:集成电路制造中利用光学、化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2至3个数量级,已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。
光刻技术的原理:集成电路制造中利用光学、化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2至3个数量级,已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。